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  • IGBT专用高频吸收电容 0.47UF 1200VDC
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IGBT专用高频吸收电容 0.47UF 1200VDC

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安徽赛福电容器有限公司
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  • 地区:安徽 铜陵
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IGBT专用高频吸收电容 0.47UF1200VDC
 

 

产生及工艺:

  

    现代变速传动用静态变频器,其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号,因此,在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用,同时,也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。

    电容器原材料膜,经过特殊的金属化镀层浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行特殊的真空蒸镀工艺,使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。

    连接引出处,增加镀层度可以大大提高电容器处理大电流能力。而特殊的金属化镀层的结构使得自愈性能和串联电阻变得更为合理,其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时保证了容量的稳定和精度,电感量低,大幅提高了耐大电压、涌流的强度。



n     技术参数Technical
Specification
 

 

定容量Capacitance C (μF)

4.0μ   40μF  

10μF

20μF

50μF

3μF

额定电压Rated DC voltage Un (V)

1250VDC

1400VDC

1400VDC

350VDC

500VAC

电流Max rms Current Imax   (A)

40A

18A

35A

35A

45A

电容量偏差 Capacitance toleranceJ): 

±5%

±5%

±5%

±5%

±5%

dv/dt (V/μs)

20.0

20.0

20.0

20.0

800

自感量Self Inductance Rs (nH)

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

端子间测试电压Ut-tV

1250V, 10S

1800V, 10S

1800V, 10S

600V, 10S

1800V, 10S

端子与外壳间测试电压Ut-c (V):

3000VAC, 60S

3000VAC, 60S

3000VAC, 60S

3000VAC, 60S

3000VAC, 60S

体积Size(mm)

74*46*49

ф50×60

ф50×60

ф50×60

50*44*50

损耗角正切:tgδ (20,10kHz)

100×10-4

30×10-4

50×10-4

55×10-4

10×10-4

 
 

 

n     特点

 2    应用于大功率高频开关电源中高频脉冲电流吸收、滤波

 2    等效串联电阻小,能承受较大的纹波电流和大电流冲击

 2    自感小,高频特性好

 2    有自愈性

 2    寿命长

 2    塑料外壳,树酯灌封

 

n     应用场合

 2    用于高频开关电源中滤波、吸收、隔直、谐振电路,用于EMI电路,如高频逆变焊机、UPS、电动汽车等

 

 

n   我们赛福有哪些优势?

 

一、作为国家高新技术企业,我们拥有21年的电容经验、25项行业和多项发明!

二、ISO9001质量管理体系认证CQC产品认证,保证所生产产品的质量和一致!

三、现代化的工厂和净化车间,世界一流的生产设备多位专家组成的技术质量团!

 

力于成为世界一流供应商!

公司网站http://www.capacitorfilm.cn服务热线133 0562 0015

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